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題 名 | 半導體晶圓清洗技術介紹 |
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作 者 | 陳宏銘; | 書刊名 | 機械工業 |
卷 期 | 187 1998.10[民87.10] |
頁 次 | 頁183-193 |
專 輯 | 半導體設備技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 晶圓清洗; 濕式化學洗淨; 旋轉蝕刻; 旋轉乾燥; Wafer cleaning; Wet chemical cleaning; Spin etcher; Spin dryer; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 隨著未來積電路的製作將朝向圖形線寬縮小、集積度增高、閘氣層變薄與深寬比 增加等高層次的生產技術,以及因應晶圓尺寸增加、設備高昂與製作程序繁雜所導致成本的 大幅提高,這種種的迫切問題,都逼使各晶圓製作廠無不積極尋求降低生產低成本、提升良 率與拉高產能的技術與方案。而在縱觀整個 IC 產業及其製造流程,不難發現各式製程中, 都須反覆經過清洗步驟,來滿足製程或元件電氣特性的要求,清洗製程確實扮演了很重要地 位;再者就 16M DRAM 的製程,單清洗的序即佔全部製程量的 15% 以上, 其重要性更是不 可言諭。換言之,晶圓清洗確實為晶圓製作廠的關鍵技術所在。 基於這個重要理由,本文即以介紹晶圓清洗的技術為主要內容,而這其中包括清洗配方、設 備以及旋乾技術等。文中先就半導體產業、設備製造業及清洗設備等的市場概況做一介紹, 其次就晶圓清洗的定義和標準來加以描述,進而詳細說明溼式化學清洗的藥液配方與相關設 備,也針對旋乾理論和設備來解說,最後分析未來晶圓清洗技術的趨勢。希望本文給予國內 晶圓製造業與設備業,在清洗技術的研究上,能有相當的幫助。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。