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題 名 | 摻氟非晶系碳膜的研製 |
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作 者 | 丁志華; 陳俊淇; 柯富祥; 潘扶民; 蔡增光; 戴寶通; 朱鐵吉; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷 期 | 6:4 1999.11[民88.11] |
頁 次 | 頁25-29 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 摻氟非晶系碳膜; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文以電子迴旋共振化學氣相沉積系統 (ECR-CVD)研製摻氟的非晶系碳膜 (fluorinated amorphous carbon film, a-C: F),作為低介電常數的材料。 實驗發現,沉 積 a-C: 薄膜較佳的條件為: 氣體流量: Ar/CH �� /CF �� =30/10/20 sccm、 基板偏壓 =-30 伏特、微波功率 =400 ∼ 600 watts、基板溫度 =50 ℃∼ 100 ℃, 薄膜有較低的介 電常數值, 約為 2.2,而漏電流 -- 電壓特性的檢測,顯示薄膜優良的介電特性。 由薄膜的 FTIR 吸收光譜得知薄膜主要由 CF �a (�a =1-3) 的鍵結所構成, 其中亦包含少量的 C-H 鍵結。在同一微波功率下,沉積速率隨基板溫度升高而降低,此乃因 CF �a原子團熱穩定性 不佳,基板溫度愈高,愈不容易沉積,此結果也在碳氟化合物 (C �X F) 的熱脫附質譜分析 中得到印證。 熱脫附質譜的分析顯示 a-C:F 薄膜為親水性,且有氟原子的釋出。因此,以 a-C:F 薄膜為介電層,覆蓋層 (capping layer) 是必要的,而所應用的覆蓋層能否抑制 CF �X原子團的解離,也需進一步探討。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。