頁籤選單縮合
題 名 | 藍光發光體之研製及相關技術瓶頸 |
---|---|
作 者 | 蘇炎坤; 涂如欽; 許進恭; | 書刊名 | 光訊 |
卷 期 | 79 1999.08[民88.08] |
頁 次 | 頁5-11 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 藍光發光體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 自從1995年10月日本日亞化學公司宣稱研製成功2.5燭光(cd)藍光450nm及12燭 光( cd )綠光 520nm 之高亮度發光二極體( Light Emitting Diodes, LED ), 接著在 1998 年年底又宣佈已研製成功連續操作( CW )且壽命長達 1 萬小時的藍光雷射二極體( Laser Diodes, LD ),如此藍色的發光體( Emitters ), 在全球光電產業界造成很大的 震撼,不論官方、學術界、研究單位或產業界都積極投入經費及人力加緊研究發展。但是截 止目前全球各地真正研發成功可以市場量產階段的廠商或研究單位並不多,國內這幾年來, 不論是大學、工研院、中山科學研究院、核研所、以及產業界都已投入研發,並有不錯的成 果。本論文分兩部分報導,第一部分為藍光發光二極體,第二部分為雷射二極體。在第一部 份,將報導下列重要內容:(一)為何要研製藍光 LED 及 LD?(二) GaN 藍光 LED 之進 展,(三) GaN LED 研製之瓶頸及解決之道,(四)垂直 GaN/SiC 且具有導電性緩衝層之 發展,(五)白光 LED 之研製及發展,及(六)最後並作一個結論。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。