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題名 | 半導體製程設備設計電腦模擬= |
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作者 | 楊肇福; |
期刊 | 工業簡訊 |
出版日期 | 19990100 |
卷期 | 29:1 1999.01[民88.01] |
頁次 | 頁20-32 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 磁相互感應; 熱流; 渦流; 非線性; 熱應力; 有限元素法; 熔融矽; 結晶; 缺陷; 潛熱; 旋轉; 拉晶速度; Electromagnetic interaction; Heat flow; Swirl; Non-linear; Thermal stresses; FEM; Silicon melt; Crystal; Dislocation; Latent heat; Rotation; Pulling rate; |
中文摘要 | 半導體製程設備之設計,須由工程學上多方來探討。為達一完美之設計,通常會對各參數作多方之研究與考量。因參數繁多,則電腦模擬便具有存在之價值。茲提出一概念模型,以詳細說明大直徑矽晶成長系統。此系統由二氧化矽鍋、熔融矽、和結晶矽所組成。由此系統而提出一模型來詳細分析此三維空間熱流穩態黏性層流之問題,用FEM的方法應用於此模型來解非線性方程式。由此方法所得之答案:如溫度、壓力、重力場等可套入一個計算應力(stress)的次模型,因此而得到一個無缺陷(dislocation-free)之長晶的設計。這整個模型提供我們一個多成分傳輸的分析(multiple species transport analysis)和內中各部分的分析,譬如說:結晶及液相之介面的邊界層(boundary layer)分析,細分為更多格,然後才能把這個現象分析出來。 從上例可得如下之結論:(a)一個大直徑(300mm或更大)、無缺陷的矽晶可由Czochralski(Cz)之長晶方式完成、(b)電腦模擬可以以非常合乎經濟效應的,進一步改進矽晶成長系統之設計。 |
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