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題 名 | 內埋於低溫共燒陶瓷基板之電容材料 |
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作 者 | 林文寬; 蔡志欽; | 書刊名 | 科儀新知 |
卷 期 | 20:2=106 1998.10[民87.10] |
頁 次 | 頁80-85 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 內埋於低溫共燒陶瓷基板; 電容材料; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | VLSI 的發展在提高每個晶片的電路密度以提升其性能、結合表面黏著技術、多層 陶瓷基板及厚膜混層微電子等技術可大幅縮小電路板體積並增加其功能密度,使其更適合應 用在高功率、高頻率、高可靠度之醫學與軍事等用途。內埋於低溫共燒陶瓷基板之容材料除 了符合現代「輕薄短小」之需求外,更能克服一般電容材料需高溫燒結且需貴重金屬作內電 極之成本問題,因此尋找一兼具有低燒結溫度且高介電常數特點之電容材料甚是重要。而弛 緩體材料即符合低溫共燒與高介電常數之特點,可取代傳統之鈦酸鋇電容材料。 |
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