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題 名 | I-Line修飾光阻之熱分析及微影參數粹取之研究 |
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作 者 | 楊金成; 柯富祥; 盧永坤; 黃慧玲; 朱鐵吉; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷 期 | 5:4 1998.11[民87.11] |
頁 次 | 頁44-50 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 修飾光阻; 熱分析; 微影; I-line; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究以Poly(4-vinylphenol)為I-line光阻的修飾高分子,並探討其修飾前後熱 穩定性的變化及對微影製程的影響。在熱分析方面, 修飾光阻 (Modified Resist) 分別用 Thermogravimetry Analysis(TGA) 、 Fourier Transfer Infrared Spectrophotometer(FTIR) 、 Differential Scanning Calorimetry(DCS) 及 Wafer Curvature Measurement (WCM) 來分析其熱特性。在熱分析的過程中, 隨溫度的上昇, 光阻 表現出三種比較明顯的解離 (Decomposed) 階段。第一階段為 Photoactive Compound(PAC) 的解離, 後兩階段為高分子的斷鏈 (Degradation) 行為。 在微影製程方面, 利用吸收度 (Absorbance) 的量測找出修飾光阻對 365nm 波長的 A、 B、C 參數, 並進一步以 PROLITH/2 作圖案模擬 (Pattern Simulation), 結果發現修飾高分子的添加能改進光阻的解析度並加 寬其線性範圍的區間, 並使 0.5um 的 Dense Line 及 Isolated Line 的擺動效應 (Swing Effect) 分別減低了 35% 及 31% |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。