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題名 | 運用於非揮發性記憶器的體通道式浮動閘極場效電晶體之研製= |
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作者 | 何志傑; 陳世芳; |
期刊 | 和春學報 |
出版日期 | 19990700 |
卷期 | 6 1999.07[民88.07] |
頁次 | 頁217-227 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 鈦酸鉛鐵電薄膜; 體通道式浮動閘極場效電晶體; 非揮發性記憶體; 通道電導比; 拭寫次數; Ferroelectric (PbTiO[feb0]) thin film; Bulk floating gate field effect transistor; FET; Non-volatile memory; Channel conductivity ratio; Read/write cycles (endurance); |
中文摘要 | 本研究目的即利用鈦酸鉛鐵電薄膜之特性,研製出體通道式浮動閘極場 效電晶體,且應用於非揮發性記憶體。與一般鐵電記憶體比較之下,其資料寫入 所需之電壓可下降至10伏特,且資料讀出的時間在150nsec以下,且在汲、源極兩 端偏壓5伏特下,其ON、OFF兩態的通道電導比(GoN/GoFF)為54:另外,本元件之 最大拭寫次數(endurance)可達2.375X10�間C |
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