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| 題 名 | 硬質罩幕應用於深次微米引洞氧化層蝕刻製程研究 |
|---|---|
| 作 者 | 江明崇; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
| 卷 期 | 5:1 1998.03[民87.03] |
| 頁 次 | 頁39-41 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 硬質罩幕; 深次微米引洞氧化層蝕刻; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本篇主要是研究離子佈植強化阻劑和金屬硬質罩幕技術對深次微米引洞( Via ) 氧化層之蝕刻選擇率的影響。在製程中發現藉由佈植磷離子進入電子束阻劑或採用薄金屬鉻 膜當作硬質罩幕可有效提昇 SiO �笆儭n幕材料之蝕刻選擇率。 對於有進行磷離子佈植之電 子束阻劑其在 CF �� /CHF �偎q漿中抗蝕刻之能力比未進行佈植者高 4.8 倍。 而使用薄鉻 膜罩幕,SiO �笆� Cr 之蝕刻選擇率更可高達 40; 且藉由電子束微影和薄金屬鉻膜硬質罩 幕製程,可完成具垂直之 0.18 微米深次微米引洞氧化層蝕劇圖案。因此,薄硬質罩幕製程 將非常有潛力應用於深次微米之多重導體連線製造。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。