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題 名 | BaTiO[feb0]薄膜液態源霧化沉積及快速熱退火製程 |
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作 者 | 詹世雄; 洪瑞華; 呂正傑; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷 期 | 5:1 1998.03[民87.03] |
頁 次 | 頁35-38 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | BaTiO[feb0]薄膜; 液態源霧化沉積; 快速熱退火製程; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在本文中,我們以液態源霧化的方式( Liquid Source Misted Chemical Vapor Deposition )將 BaTiO �偭■尹H積於 RuO �砥] 250nm ) /Ru ( 20nm ) /TiN ( 200nm ) /Ti ( 20nm ) / ( 100 ) Si 上,並探討快速熱退火製程( RTP )對薄膜性 質的影響。 實驗結果發現增加 RTP 溫度可降低薄膜應力,增大晶粒尺寸,並使漏電流降低 。 RTP 溫度在 950 ℃時,BaTiO �偵P下電極間仍有明顯的分界。此時介電常數升高至 250 ( 100KHz ),漏電流則袶至 2.09nA/cm �插] 1.5V )。 BaTiO �偭■予宒隤煽ㄓ优O由於 RTP 可增進薄膜的結晶性,釋放內應力,並降低雜質原子的濃度,且並不會使薄膜與下電極 間有明顯的相互擴散發生。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。