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| 題 名 | 功率半導體元件中的明星--IGBT |
|---|---|
| 作 者 | 薛添福; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 4:1=30 1998.01[民87.01] |
| 頁 次 | 頁47-55 |
| 專 輯 | 電力電子專輯 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 功率半導體元件; 絕緣閘雙載子電晶體; IGBT; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 由於地球上可用能源的日漸匱乏,人口的快速膨脹以及每個人平均用電 量的急劇成長,使得具省能效果的電力電子產品市場呈現蓬勃快速的發展。從產 業機械中所使用的設備,如馬達驅動器及切換電源設備、軌道車輛中的驅動器、 到家庭中民生用的變頻式家電及電子式安定器等均是因應能源節約下的產物。此 外,隨著電腦資訊用品的普及,其中所使用的切換式電源供應器及不斷電系統等 亦是電力電子技術應用下的產物。電力電子技術得以實現最主要的關鍵點便在於 功率半導體元件的開發成功。從60年代的閘流體(SCR),70年代的功率電晶體(GTR or BJT),80年代的功率金氧半場效電晶體(Power MOSFET)至目前的絕緣閘雙載子 電晶體(IGBT),一個個被應用於電力電子產品之中。相信在未來21世紀中,功率 半導體元件的持續開發將是推動電力電子產業的主要動力。本文將就目前半導體 元件中的明星----IGBT的元件架構、驅動及保護、功率模組及發展趨勢等主題作 一廣泛的介紹,期使有興趣的讀者對IGBT能有進一步的認識。 |
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