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題 名 | 碳化矽粉末的氧化行為=The Oxidation of Silicon Carbide Powder |
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作 者 | 林永仁; 陳禮仁; | 書刊名 | 陶業學刊 |
卷 期 | 2:1 1998.01[民87.01] |
頁 次 | 頁42-50 |
分類號 | 440.33 |
關鍵詞 | 碳化矽; 粉末; 氧化; 活化能; Silicon carbide; SiC; Powder; Oxidation; Activation energy; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本實驗研究碳化矽粉末於空氣中,在1000℃ 到1200℃間氧化,其氧化率與溫度及 時間之關係。 結果顯示碳化矽粉末迅速氧化的起始溫度約在 937 ℃, 當碳化矽粉末在 1000 ℃ -1200 ℃氧化時,粉末外表產生一層非晶質二氧化矽,氧化重量增加率與氧化時間 的平方根成正比。 若非晶質二氧化矽結晶成白矽石,則氧化速率明顯下降。 以 Arrhenius plot 所求得的氧化反應的活化能為 99.5KJ/mol。 |
英文摘要 | Silicon carbide powder was oxidized in air between 1000℃ and 1200 ℃ and its oxidation behavior was studied. Results show that at about 937 ℃ the weight of the powder starts to inicrease significantly, indicating the beginning of oxidation. After been oxidized between 1000 ℃ and 1200 ℃, SiC powder forms a layer of amorphous silica and the weight gain fraction due to oxidation is proportional to the square root of oxidation time. However, when the amorphous silica crystallized into cristobalite, the oxidation rate would decrease. Activation energy of the oxidation reaction was estimated to be 99.5KJ/mol from an Arrhenius plot of rate constants at various temperatures. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。