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題名 | 新型高功率非晶碳化矽超晶格光電晶體之研製 |
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作者姓名(中文) | 卓信誠; 卓信鴻; | 書刊名 | 雲林工專學報 |
卷期 | 16 1997.06[民86.06] |
頁次 | 頁119-131 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 高功率; 非晶碳化矽; 超晶格光電晶體; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 由於非晶碳化矽薄膜具有比非晶矽較高的耐崩潰電場強度,所以,為了製造出高 功率的光電晶體,所有的薄膜層 (除超晶格外 ) 均採用非晶碳化矽。 在論文中,成功地利 用電漿助長化學氣相沉積法,製造出 npn 與 pnp 型的非晶碳化矽超晶格光電晶體。對 npn 型超晶格光電晶體而言,當入射光功率為 5 微瓦時,可得到 87 的光增益。 此外,利用光 電流倍乘法, 把 npn 型當作純電子入射條件,可得到此種元件結構的電子與電動游離率。 當所加電場 2.15*100000 V/cm 時,可得到電子對電洞的游離率比為 7.01。 另外,從超額 雜訊量測法所得到的結果為 6.807。此元件的峰值響應波長可隨著所加偏壓與井寬度而變, 故可當作電壓調變波長選擇光感測器。 |
英文摘要 | Amorphous silicon carbide film have hihger breakdown field than amorphou silicon film. In this study new npn and pnp amorphous silicon carbide superlattice phototransistor (SLPT) have been sucessfully fabricated on ITO/glass substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). For npn SLPT, an optical gain as high as 187 can be otained at Pin=5 μ w. In addit photocurrent multiplication measurements have been performed on npn and pnp SLPT under pure electron and hole injection conditions, respectively. The ratio is 7.01 at a fixed electric field of 2.15*100000 V/cm. The ratio estimated from the excess noise measurement is 6.807. Besides, a variety of peak response wavelength is achievable by changing the applied bias and the well width in SL structure, making the device useful as wavelength selective photosensor. |
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