您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
高雄工學院學報
3 1996.06[民85.06]
頁51-56
相關文獻
Pre-Intrinsic Gettering Treatment of CZ Silicon Substrate for the Yield Of Semiconductor Device
CAE應用於呋喃樹脂模鑄鐵件冒口設計之研究
濕穀成品率及夾雜率與含水率關係之研究
提高鑄造成品率的空氣絕熱冒口套筒的開發
Control Charts for High Yield Processes
濕穀收購新工具--濕穀成品率測定儀之開發
水產製造成品率之調查
高成品率鑄造法(融合經驗值與IT研發高效率鑄造方案設計系統)
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
Pre-Intrinsic Gettering Treatment of CZ Silicon Substrate for the Yield Of Semiconductor Device=矽基法之本質吸引處理對半導體元件成品率之影響
作 者
楊炳焜
;
林文寬
;
劉明展
;
書刊名
高雄工學院學報
卷 期
3 1996.06[民85.06]
頁 次
頁51-56
分類號
448.551
關鍵詞
本質吸引
;
成品率
;
剝蝕區
;
Intrinsic gettering
;
Yield
;
Denuded zone
;
語 文
英文(English)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址