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題名 | Plasma Deposited Amorphous Tungsten Nitride Diffusion Barrier for Metal-Organic Chemical Vapor Deposited Cu Metallization=金屬有機化學氣相沈積銅連線技術中之電漿沈積非晶型氮化鳴擴散護障層 |
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作者 | Kim,Yong Tae; Lee,Chang Woo; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷期 | 2:1 1995.02[民84.02] |
頁次 | 頁7-11 |
分類號 | 440.35 |
關鍵詞 | 非晶型電漿沈積氮化鎢層; 金屬有機化學氣相沈積銅; Amorphous PECVD-W N layer; MOCVD-Cu; |
語文 | 英文(English) |