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題名 | A New Structure of Mosfet-C Oscillators=金氧半-電容振盪器新架構 |
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作者姓名(中文) | 林蒼松; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷期 | 4 1995.06[民84.06] |
頁次 | 頁35-42 |
分類號 | 448.532 |
關鍵詞 | 金氧半電路; 振盪器; CMOS circuits; Oscillator; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 金氧半﹣電容狀態變數振盪器新架構被提出。此電路提供振幅及頻率之準確控制 ,並保証自發振盪。此種易積體化之音頻正弦振盪器能達到極低之諧波失真。 |
英文摘要 | A new structure of MOSFET-C state variable oscillator is proposed. The circuit provides precision control of both amplitude and freqrency and is guaranteed to start oscillating. This readily integrable audio frequency, sinusoidal oscillator can achieve very olw harmonic distortion. |
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