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題名 | 相容於CMOS的側向雙載子電晶體 |
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作者 | 王是琦; 劉紹宗; 楊炳章; 簡章清; | 書刊名 | 逢甲學報 |
卷期 | 28 1995.11[民84.11] |
頁次 | 頁445-449 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | CMOS; 側向雙載子電晶體; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本篇論文在描述一種相容於 CMOS 的 PNP 側向雙載子電晶體之元件特性。這種側 向雙載子電晶體元件, 除具有較高且平坦的共射極電流增益 b 特性曲線外,還有較高的互 導和輸出電阻值。此側向雙載子電晶體並可用來製作理想的輸出緩衝器。 |
英文摘要 | This paper describes characteristics of a CMOS-compatible lateral pnp bipolar transistor. The proposed lateral bipolar transistor shows not only high and flat common emitter current gain b characteristics, but also high transconductance and output resistance. Furthermore, an ideal output buffer can be achieved by the proposed lateral bipolar transistor. |
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