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題名 | Recombination Components of Base Current in Algaas/Gaas Heterojunction Bipolar Transistors=A1GaAs/GaAs異質接面雙極電晶體(Heterojunction Bipolar Transistors)的基極電流中復合(Recombination)成分之研究 |
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作者 | 張彥華; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷期 | 3 1994.06[民83.06] |
頁次 | 頁161-166 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 復合; 異質接面; 鈍化突出物; 外部基極; Recombination; Heterojunction; Passivation ledge; Extrinsic base; |
語文 | 中文(Chinese) |