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題名 | Heterojunction Solar Cells on InP-on-Si Substrates=磷化銦/矽基板異質接面太陽電池之研究 |
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作者姓名(中文) | 董心漢; | 書刊名 | 聯合學報 |
卷期 | 11 1993.11[民82.11] |
頁次 | 頁103-110 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | 太陽電池; 矽基板; 異質接面; 磷化銦; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 在本文中,我們提出兩種全新的半導體太陽電池模型,一為p+/n/n+InP/Si結構, 一為 ITO/InP/Si 結構。文中詳述了這兩種異質接面結構所遭遇的困難,並提出解決之道。 我們分析了這種異質結構的晶格匹配與能階形變的問題,利用二階成長技術,獲得良好的結 晶品質,文中並以數值方法分析太陽電池的轉換效率。這兩種結合磷化銦直接能隙之高轉換 效率,矽晶片之低價,ITO 的透明高導電高度與適當的抗反射膜技術,將成為未來太陽能電 池發展的新趨勢。 |
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