查詢結果分析
相關文獻
- Study on the Crystallization Kinetics of A-Se: Te Films by Isothermal Annealing
- 鋼鋁片鍍層與化成塗膜表面分析技術之應用
- 生油岩成烴機制及油岩對比研究生油岩水合熱裂油氣生成模擬研究
- 二水合磷酸氫鈣及一水合磷酸二氫鈣的熱性質研究
- 覺性的位能與活化能
- 穿透式電子顯微鏡的應用研究--IC製程導致的晶格缺陷觀察
- Activation Energy of Annealing of Nuclear Tracks in CR-39 Detector
- 利用高解析度電子顯微鏡鑑別生物礦物超微構造
- 聚合物的結晶化與核劑
- 鈦鋯錫鈮酸鉛鐵電陶瓷之電性疲勞行為及微觀組織演變
頁籤選單縮合
題 名 | Study on the Crystallization Kinetics of A-Se: Te Films by Isothermal Annealing=非晶形硒:碲薄膜於恆溫退火下晶化動態之研究 |
---|---|
作 者 | 周榮泉; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷 期 | 1 1992.06[民81.06] |
頁 次 | 頁23-27 |
分類號 | 345.148 |
關鍵詞 | 非晶形硒:碲; 恆溫退火; 晶化; 電導係數; 活化能; 晶化速率; 穿透式電子顯微鏡; 核凝; Amorphous selenium-tellurium; Isothermal annealing; Crystallization; Electrical conductivity; Activation energy; Crystallzation rate; Transmission electron microscope; Nucleation; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本文探討以真空蒸鍍法備製的非晶形硒:碲薄膜在各種不同退火溫度 下之暗電導係數,由其隨時間之變化研究非晶形硒:碲薄膜之晶化現。並以晶 化由基板與薄膜交界面開始,然後再沿厚度方向成長的理論探討其晶化動態。 更進一步,我們可得到垂直基板方向之晶化速率及其活化能,並與電子顯微鏡 所得資料互相印證。上述之結果我們亦與早期對純非晶形硒之晶化動態所作之 研究作一比較。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。