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來源資料
新新科技年刊
20 2024.01[民113.01]
頁146-151
電機工程
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三極半導體
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題名
Ka頻段之氮化鎵功率電晶體單元(Unit Cell)研究=Study of GaN HEMTs for Ka-band Applications Using Unit Cell
作者姓名(中文)
朱富權
;
鍾華晏
;
林岳欽
;
張翼
;
書刊名
新新科技年刊
卷期
20 2024.01[民113.01]
頁次
頁146-151
分類號
448.653
關鍵詞
氮化鎵
;
Ka頻帶
;
GaN
;
Ka-band
;
語文
中文(Chinese)
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