查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- 二維極限下凡德瓦系統之電子結構--分子束磊晶薄膜成長與臨場角解析光電子能譜之應用
- In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy
- Growth and characterization of Zn[feb5][febe]戓Mn戓 Se Epilayers and ZnSe/Zn[feb5][febe]戓Mn戓Se Quantum Wells
- 分子束磊晶成長Ni[fecc]Fe佂(110)單晶、雙晶及四晶薄膜
- Contactless Electroreflectance Modulation Spectroscopy of Zn Cd Se/ZnSe Multiple Quantum Wells
- 分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET)
- 以分子束磊晶法成長不同緩衝層ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe單一量子井分開侷限異質結構之缺陷及光特性之探討
- XPS超薄薄膜分析
- 化合物半導體之分子束磊晶技術
- 分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
頁籤選單縮合
題名 | 二維極限下凡德瓦系統之電子結構--分子束磊晶薄膜成長與臨場角解析光電子能譜之應用=Electronic Structures of van der Waals Systems in Two-Dimensional Limit--Application of Molecular Beam Epitaxy Growth and In-Situ Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy |
---|---|
作者 | 林孟凱; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 35:3 2022.09[民111.09] |
頁次 | 頁6-14 |
分類號 | 448.614 |
關鍵詞 | 凡德瓦二維材料; 角解析光電子能譜; 分子束磊晶; 超薄薄膜; 臨場量測; |
語文 | 中文(Chinese) |