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題 名 | 高效率氮化鎵發光二極體成長於奈米壓印技術錐形二氧化矽圖形化基板=Highly Efficient GaN-based Light-emitting Diodes on Cone-shaped SiO₂ Patterned Template by Nanoimprint Lithography |
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作 者 | 林大為; 黃治凱; 李佳祐; 張瑞文; 藍宇彬; 林建中; 李柏璁; 紀國鐘; 郭浩中; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 20:2 2013.06[民102.06] |
頁 次 | 頁9-14 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 發光二極體; 奈米壓印; 側向磊晶成長; 內部量子效率; 光萃取效率; Light-emitting diodes; LEDs; Nano-imprint lithography; NIL; Epitaxial lateral overgrowth; ELOG; Internal quantum efficiency; IQE; Light extraction efficiency; LEE; |
語 文 | 中文(Chinese) |