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題 名 | 鍺與三五族鰭式電晶體之共用高介電/金屬閘極製程開發與模擬分析優化研究=Development of Ge/IIIV Fin Field-Effect Transistor Common Gate Process and Its Numerical Simulations |
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作 者 | 朱俊霖; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 24:1 2017.03[民106.03] |
頁 次 | 頁32-37 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 原子層沉積; 電晶體; 數值模擬; 計算流體力學; Atomic layer deposition; Transistors; Numerical simulation; Computational fluid dynamics; |
語 文 | 中文(Chinese) |