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題 名 | 砷化銦金氧半電容的介面特性研究與優化=Optimization of Interfacial Treatment, Study of Interfacial Properties and Characterization of InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors |
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作 者 | 林育詩; 陳仕鴻; 林明慧; 孫偉鈞; 張俊彥; 陳宜鴻; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 23:3 2016.09[民105.09] |
頁 次 | 頁2-6 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 高載子遷移率材料; 三五族金氧半電容; 砷化銦金氧半電容; High mobility materials; III-V MOSCAPs; InAs MOSCAPs; |
語 文 | 中文(Chinese) |