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| 題 名 | 應用標準CMOS製程實現矽基太陽能電池效率提升之研究 |
|---|---|
| 作 者 | 賴宇紳; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 19:9=218 2013.09 [民102.09] |
| 頁 次 | 頁112-122 |
| 專 輯 | IC製程技術專輯 |
| 分類號 | 448.57 |
| 關鍵詞 | 矽基太陽能電池; 光電轉換效率; CMOS; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 傳統市售矽基太陽能電池(Silicon-based Solar Cell)結構仍舊是以具有金屬導電電極(Metal Electrodes)之太陽能電池為市場主流趨勢,通常金屬導電電極區域是無法產生有效的光電轉換效應,主要原因為金屬電極是不透光且具有較高的光反射性質,極易造成入射光能量之浪費進而降低太陽能電池之效率;若是使用透明導電電極如ITO或Graphene材料,雖然可克服上述之問題,但是製程成本(如ITO需用到貴金屬In)及效率提升仍是急待克服的缺點!本研究成果最主要為基於低成本CMOS主流半導體製程平台之上及不需增減任何製程步驟的前提下,提出應用金屬表面電漿共振效應(Surface Plasmon Resonance, SPR)技術於金屬導電電極區域來產生有效光電流輸出(Photo Current Output),並可藉以改善矽基太陽能電池效率之方法!經由實驗的結果明確指出,藉由整合金屬表面電漿共振效應所獨有之特殊異常光穿透現象(Extraordinary Transmission Phenomenon)於傳統的矽基太陽能電池,可「回收(Harvest)」原本會被金屬電極區域反射之入射光能量來增加矽基太陽能電池之光電流輸出,進一步提升元件效率表現!在此同時,除了提供傳統矽基太陽能電池尺寸可以進一步縮小的可能性,原本存在於矽基太陽能電池受光面積(Optical Absorption Region)與金屬導電電極佈局(Layout)安排的折衷關係及限制也被成功突破!此研究成果已發表於國際著名能源期刊Energy & Environmental Science(EES, SCI:IF=11.65)之上。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。