您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
查詢結果
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
臺灣奈米會刊
33 2013.06[民102.06]
頁74-79
相關文獻
外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響
外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響
以自旋傳輸翻轉為寫入方式之新世代磁性記憶體
垂直式自旋傳輸磁性記憶體
找尋夢幻記憶體
淺談磁性記憶體技術原理與前景
不失憶的夢幻記憶體--磁性記憶體MRAM
磁性記憶體的挑戰與契機
穿隧磁阻磁性感測器技術
經濟部學界科專計畫--高密度磁阻式隨機存取記憶體之核心技術研發
第4筆 /總和 17 筆
跳頁至
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
/ 17 筆
回查詢結果
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響=Impact of Stray Field on the Switching Properties of Perpendicular MTJ for Scaled MRAM
作 者
黃勝煌
;
沈桂弘
;
簡政尉
;
王丁勇
;
郭耿銘
;
楊姍意
;
徐嘉宏
;
王泳弘
;
書刊名
臺灣奈米會刊
卷 期
33 2013.06[民102.06]
頁 次
頁74-79
分類號
471.6511
關鍵詞
外漏磁場
;
磁性記憶體
;
穿隧磁阻元件
;
自旋傳輸
;
翻轉電流
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址