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題 名 | 非完美組成比例之碳化矽薄膜之太陽能電池元件 |
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作 者 | 程志賢; 蔡陵萱; 林恭如; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 19:6=215 2013.06[民102.06] |
頁 次 | 頁108-119 |
專 輯 | 光電專輯 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 碳化矽; 非晶矽; 堆疊式太陽能電池; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 為改善第三代太陽能電池的轉換效率,我們開發非完美組成比例碳化矽薄膜做為新一代太陽能電池主動吸收層之材料。在本研究中,第一部份我們成功的應用調控電漿氣相化學沉積法之反應氣體流量比例得到不同組成比例之碳化矽薄膜。當反應氣體流量比例降至0.3,此碳化矽薄膜最強之吸收係數為2.1×105 cm-1並且擁有最寬之吸收光譜,並且和結晶矽相比之下更增加了一倍的吸收強度。此外,更優化p型及n型碳化矽薄膜之電阻率分別為0.875 W-cm及0.12 W-cm以降低太陽能電池之串聯電阻。第二部分,更進一步做出不同本質碳化矽厚度及不同反應氣體流量比例沉積之碳化矽p-i-n結構異質接面太陽能電池,此最佳之太陽能電池之開路電壓及短路電流密度分別為0.5 V和20.3 mA/cm2,並且使其元件最後光電轉換效率及填充因子更提升至2.38%和27.1%。最後和非晶矽p-i-n結構異質接面太陽能電池結合形成堆疊式太陽能電池,進一步將元件之開路電壓及短路電流密度提升為0.87 V及25.7 mA/cm2。同時造成其光電轉換效率跟填充因子也提升至6.47%和30.2%。從此實驗中,碳化矽薄膜未來可視為新一代太陽能電池之主動吸收層材料。 |
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