頁籤選單縮合
題 名 | 高密度電漿沉積矽薄膜製程技術之研究 |
---|---|
作 者 | 黃重鈞; 楊柏宇; 陳朝治; | 書刊名 | 新新季刊 |
卷 期 | 41:2 2013.04[民102.04] |
頁 次 | 頁107-115 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 微晶矽; 非晶矽; ECR-CVD; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文探討利用直徑18英吋艙體與12吋晶圓承載台的電子迴旋共振化學氣相蒸鍍設備,在300℃以下的製程溫度下,沉積微晶矽與非晶矽薄膜於二氧化矽與康寧玻璃基板上,研究電子迴旋共振化學氣相蒸鍍製程中氫氣稀釋比與微波功率等製程條件對沉積矽薄膜的影響,並利用傅立葉轉換紅外線光譜儀、拉曼光譜儀、X-ray繞射儀與掃描式電子顯微鏡檢測微晶矽與非晶矽薄膜的結構。在調整氫氣稀釋比與微波功率後,可達成以4.3A/sec速率沉積約270A結晶尺寸的微晶矽薄膜。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。