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題名 | Analysis of Strain Effect of InGaN/GaN Multiquantum Wells by X-ray Diffraction=藉由X射線繞射分析氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井之應變效應 |
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作 者 | 胡宇正; | 書刊名 | 臺北城市大學學報 |
卷期 | 35 2012.05[民101.05] |
頁次 | 頁35-44 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 多重量子井; 電激光譜; X射線繞射; 應變; Multiquantum wells; Electroluminescence; X-ray diffraction; Strain; |
語文 | 英文(English) |