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題 名 | 以低溫表面處理技術提升發光二極體外部量子效率 |
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作 者 | 李清庭; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 18:11=208 2012.11[民101.11] |
頁 次 | 頁120-134 |
專 輯 | 半導體光電技術 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 發光二極體; 光電化學氧化法; 氯氣處理; 低溫表面處理技術; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 提升發光二極體的功能為近年來熱門的研究主題,其中又以改善外部量子效率為發光二極體產業發展中最重要之議題。因此本研究以低溫表面處理技術進行改善對發光二極體之發光特性,並探討其表面處理技術之原理與優點,分析其能夠改善發光二極體特性之原因。內容分為三部分:第一部分探討以低溫表面處理技術提升發光二極體外部量子效率,首先探討以光電化學氧化法應用於氧化鋅奈米柱發光二極體外部量子效率之效果,藉由護佈氧化鋅奈米柱表面以降低表面缺陷所造成的漏電流並降低非輻射複合之機率,使發光二極體具有較低之暗電流與較高之光電流,並於近能隙發光波段具有更理想之發光強度、第二部分以光電化學法改善氮化鎵發光二極體之外部量子效率,藉由光電化學法之濕式蝕刻粗糙化氮化鎵表面,降低全反射的發生機率,進而提高元件的光萃取效率、第三部分利用氯氣處理提升氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體外部量子效率,利用氯氣處理增加氮化鎵表面的鎵空缺以及填補氮空缺,進而增加電洞載子以及降低漏電流,藉此改善元件之歐姆接觸特性,使氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體出光效率增加。上述之低溫表面處理技術不僅成功地提升各種半導體發光二極體外部的量子效率,同時更具有低成本、在低溫中進行、且能應用於大尺寸元件等優點,因此對於發光二極體之發展具有極大的貢獻。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。