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題 名 | 以源極注入方式應用於NOR快閃記憶體陣列之新穎單一位元胞二位元隱藏型選擇性閘極SONOS薄膜電晶體記憶體 |
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作 者 | 王冠迪; 薛芳昌; 陳昱璇; 趙天生; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 18:9=206 2012.09[民101.09] |
頁 次 | 頁120-130 |
專 輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 隱藏型選擇性閘極結構記憶體; 源極注入法; 多層式操作; 薄膜電晶體記憶體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 我們提出一種單一位元胞二位元隱藏型選擇性閘極(Wrapped Select Gate, WSG)半導體─氧化層─氮化矽─氧化層─半導體(SONOS)薄膜電晶體(TFT)記憶體,此記憶體元件可透過源極注入方式(Source Side Injection, SSI)成功進行寫入與抹除操作。由於SSI寫入效率極高,因此寫入/抹除時間分別僅需10ms/20ms,即可輕易打開3V之記憶窗。同時我們也利用模擬軟體證實,寫入速度正比於中性摻雜間隔區的電場。經過適當偏壓環境的調整,我們的記憶體元件更可呈現極佳的寫入抹除特性以及資料保存能力。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。