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題 名 | 深具潛力的氮化鎵發光二極體元件之磊晶基板:矽(Si) |
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作 者 | 李鎮宇; 藍宇彬; 邱鏡學; 李佳祐; 郭浩中; 洪瑞華; 紀國鐘; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 18:6=203 2012.06[民101.06] |
頁 次 | 頁136-160 |
專 輯 | 光電專輯 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 氮化鎵; 矽基板; 發光二極體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 由於矽(Si)材料具有低價格、高導熱率、大面積、高結晶品質以及在光電積體整合方面的應用潛力等優勢,讓Si基板上之氮化鎵(GaN)磊晶成長一直受到很大的注意。然而,GaN與Si之間存在很大的晶格不匹配度與熱膨脹係數差異,導致GaN磊晶層很容易龜裂,這是限制發光二極體(LED)與其他電子元件結構成長的關鍵問題。近年來,隨著磊晶技術的提升,Si基板上之GaN磊晶層品質已經獲得大幅度的改善,同時也已經有不少研究團隊成功地製作出Si基板上之GaN LED元件,因此在本篇文章將詳細介紹GaN磊晶層成長在Si基板上所面臨的問題與GaN/Si LED元件的近期研究發展。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。