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題名 | 用離子束濺鍍系統鍍製不同鋁摻雜量之氧化鋅鋁薄膜=Various Concentrations of Aluminum-doped ZnO Films Deposited by Ion Beam Sputtering |
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作者姓名(中文) | 李俊逸; 陳譽云; 徐進成; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 24:2 2011.06[民100.06] |
頁次 | 頁50-55 |
分類號 | 472.16 |
關鍵詞 | 離子束濺鍍系統; 共鍍; 氧化鋅鋁薄膜; 能隙; 電阻率; Ion beam co-sputtering; AZO; Resistivity; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究是在室溫下使用離子束濺鍍系統,以共鍍的方式鍍製氧化鋅鋁 (AZO, ZnO:Al) 薄膜,並探討在不同鋁摻雜量下其光學特性、結構特性與電性性質。在光學特性上,利用光譜儀量測 AZO 薄膜的光學穿透光譜,並計算其能隙。在結構特性上,使用 X-ray 繞射儀 (XRD)來量測樣品。電性性質上,使用 Hall effect 量測 AZO 薄膜之電阻率、載子濃度與電子遷移率。當調整鋁靶及鋅靶適當共鍍位置時,AZO 樣品會有最低的電阻率 7.78×10-4 Ω.cm,其最大的載子濃度為 1.157×1021 cm-3。在結構上,則繞射角度在 34.17° 有很強烈的 (002) 繞射峰值。 |
英文摘要 | The influence of the different Al concentrations on the optical, structural and electrical properties of AZO films fabricated by ion beam co-sputtering has been studied. The resistivity,carrier concentration and carrier mobility were measured by the Hall measurement with the Van der Pauw method at room temperature. The AZO fi lm with the intense (002) diffraction peak has the lowest resistivity of 7.78×10-4 Ω.cm and the highest concentration of 1.157×1021 cm-3 as the optimal relative position has been chosen between the Al and Zn targets. |
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