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題 名 | Investigation of InGaAs Epilayer Crystalline Quality and Photovoltaic Device Application=砷化銦鎵薄膜材料特性分析與太陽電池的應用 |
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作 者 | 洪瑞華; 曾明俊; 吳凡磊; 吳志宏; 楊敏德; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 24:3 2011.09[民100.09] |
頁 次 | 頁33-41 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | X光倒置空間向量圖; 太陽電池; 砷化銦鎵磊晶品質; X-ray reciprocal space mapping; Solar cell; InGaAs crystalline quality; RSM; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本文中主要探討砷化銦鎵 (InxGa1-xAs, 0 (GaAs) 基板切割偏移角度為 2º - 與 15º -off,磊晶的成長是使用機金屬化學氣相沉積。而利用X 光倒置空間向量圖 (X-ray Reciprocal Space Mapping, RSM) 來定義其 InxGa1-xAs 磊晶層的晶格品質,從 RSM 的結果中顯示出 InxGa1-xAs 磊晶層品質,當成長在 2º -off 砷化鎵基板比成長在 15º -off 砷化鎵基板來的更好,這個結果可能是由於成長在 2º -off 砷化鎵基板的 InxGa1-xAs磊晶層存在著較小的應力鬆弛。並且在 In0.16Ga0.84As 太陽電池特性中,成長在 2° -off 砷化鎵基板比成長在 15º -off 砷化鎵基板有更好的光電性能。這是因為成長在 15º -off 砷化鎵基板的In0.16Ga0.84As 太陽電池,其中作用層的 InxGa1-xAs 薄膜發現到較大應力鬆弛現象,而這個大的應力鬆弛現象會在最初的作用層與 InxGa1-xAs 漸變層表面之間引起高的缺陷密度。 |
英文摘要 | This paper reports the quality of InxGa1-xAs (0that the crystalline quality of InxGa1-xAs epilayers grown on 2° -off GaAs substrate is better than that of 15° -off GaAs substrate. It could be due to small strain relaxation in the epilayer grown on 2° -off GaAs substrate. The photovoltaic performance of In0.16Ga0.84As solar cell grown on 2° -off GaAs substrate is better than that of In0.16Ga0.84As grown on a 15° -off GaAs substrate, because the InxGa1- xAs fi lms grown on 15º -off GaAs substrate show a large strain relaxation in the active layer of the solar cell. A large strain relaxation causes the high dislocation density at the initial active layer/InxGa1-xAs graded layer interface for the solar cell grown on 15º -off GaAs substrate. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。