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題名 | 氮化鋁鎵/氮化鎵高功率電晶體元件結構用於矽基板之特性分析=The Characterization of AlGaN/GaN High-power Transistor Device Structure in and Si Substrate |
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作者 | 張慈; 廖笙佑; 洪國洋; 張皓敏; 李清源; 吳建宏; 高瑄苓; | 書刊名 | 新新科技年刊 |
卷期 | 8 2012.01[民101.01] |
頁次 | 頁312-320 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 氮化鎵功率元件; 脈波式負載量測; 自發熱效應; GaN power HEMT; Pulse load pull; Self-heating effect; |
語文 | 中文(Chinese) |