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題 名 | 低能量雷射照射人體末梢循環血液對淋巴細胞染色體影響的研究=The Effect of Low Level Laser Therapy on Peripheral Human Blood Lymphocytes |
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作 者 | 錢佑; 楊世忠; | 書刊名 | 中華民國口腔雷射醫學雜誌 |
卷 期 | 2:1 民95.11 |
頁 次 | 頁42-46 |
分類號 | 418.93232 |
關鍵詞 | 低能量雷射; 照射時間; 染色體; 突變率; LLLT; Diode laser; Irradiation; Lymphocyte; Mutation; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文使用低能量雷射(二極體雷射,波長635nm)以能量密度分別為16焦耳/平方公分(照射5分鐘)、32焦耳/平方公分(照射10分鐘)、64焦耳/平方公分(照射20分鐘)、128焦耳/平方公分(照射40分鐘)照射人體末梢循環血液後,檢測其淋巴細胞染色體致突變率,雷射照射血液樣本(能量密度由低到高)及未照射血樣致突變率分別平均為4.29‰、3.96‰、3.81‰、3.59‰、4.19‰,各組檢驗結果在統計學上無顯著差異(P>0.05),說明低能量雷射照射人體細胞對細胞染色體不產生致突變效應。而且隨著能量密度的增大,染色體的突變率有降低的趨勢,因此初步結論認為是低能量雷射促使細胞內分子的相互作用和能量轉換,從而使染色體損傷的修復增強,其機理有待於進一步的研究。 |
英文摘要 | In this study, We used the low level laser( diode, wave length; 635 nm) irradiate peripheral blood with different energy: 16 J/cm^2 (5 min)、32 J/cm^2 (10 min)、64 J/cm^2 (20 min)、128 J/cm^2 (40 min), to test lymphocytes chromosome mutation rate, the result of f blood lymphocytes irradiated by low level diode laser average is 4.20‰、3.99‰、3.80‰ and 3.57‰ (positive control: 14.41‰; negative control: 4.18‰). It was not significantly different in four test groups from P-test (P>0.05) compared with control groups. The results showed that Low level Laser Therapy could not induced mutation on peripheral lymphocytes. It has been found that mutation rate of white blood cell chromosome was reduced in higher energy density groups. It was consider that LLLT may have mechanisms to activate the chromosomes function, since further study is necessary to prove this hypothesis. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。