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題 名 | 鍺通道金氧半場效電晶體的發展現況與展望=Ge-Channel MOSFETs: An Overview |
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作 者 | 徐正一; 陳彥廷; 傅彥均; 劉致為; | 書刊名 | 臺灣奈米會刊 |
卷 期 | 23 2010.12[民99.12] |
頁 次 | 頁18-26 |
專 輯 | 奈米電子 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 鍺通道金氧半場效電晶體; 高遷移率; 互補式金氧半場效電晶體微縮; Ge-channel MOSFETs; High mobility; CMOS scaling; |
語 文 | 中文(Chinese) |