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題 名 | 高效能藍色發光二極體及其應用=High Efficiency Blue Light Emitting Diodes and Their Applications |
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作 者 | 雷伯薰; 曾詠信; 鍾孟融; 丁明君; 高慧芳; | 書刊名 | 電信研究 |
卷 期 | 39:4 2009.08[民98.08] |
頁 次 | 頁453-464 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 藍色發光二極體; 介電質分布型布拉格反射鏡; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 我們在InGaN/GaN多重量子井發光二極體之窗層引入SiO2/Si3N4 介電質分布型布拉格反射鏡(dielectric distributed Bragg reflectors, DDBRs)可有效改善萃取效率、增加因內部全反射之臨界角、及減少表面復合態位。 以光輸出功率做為分析基準可發現,最佳之介電質分布型布拉格反射鏡的對數為3對,若介電質分布型布拉格反射鏡之對數低於3對(如:2對或1對)或高於3對(如:4對),其光輸出功率均較引入3對介電質分布型布拉格反射鏡要來得差。我們會針對這樣的差異進行分析。實驗結果發現,將最佳對數之介電質分布型布拉格反射鏡引入發光二極體之窗層時,其光輸出功率可有效提升42%。同時,在此條件下進行元件量測可發現在20mA注入電流條件下之順向導通電壓為3.25V。此外,由於介電質分布型布拉格反射鏡之光波長之選擇性可將光輸出頻譜之半高寬縮限至22.4 nm (未引入介電質分布型布拉格反射鏡之光輸出頻譜之半高寬約為24.6 nm)。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。