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來源資料
真空科技
18:4 民95.02
頁44-51
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題名
高介電係數金屬氧化物閘介電層在液晶薄膜電晶體之應用=Applications of High-k Gate Dielectric on Thin Film Transistors
作者
鄭錦隆
;
書刊名
真空科技
卷期
18:4 民95.02
頁次
頁44-51
專輯
光電半導體與平面顯示器專輯
分類號
448.552
關鍵詞
液晶薄膜電晶體
;
閘介電層
;
TFT-LCD
;
語文
中文(Chinese)
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