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題名 | A Study of the Direct-Connecting TJS-LED Fabrication Processes=直接耦合型橫何發光二極體之製作研究 |
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作者 | 黃茂生; 張連璧; 林瑞明; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷期 | 20:2 1992.01[民81.01] |
頁次 | 頁15-22 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 直接耦合型; 製作; 橫何發光二極體; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 橫向發光二極體,因為可以生長在半絕緣之砷化鎵基底之上,所以此 種結構成為光電積體電路中之主要於光元件之一。然而在傳統的橫向發光元件 上,基於降低侷限電流之考量,故其侷限層須減少參雜量,而導致與其它元件積 體化時之串聯電阻值增加,更而降低其運算速度。若以本文改之動作層直接耦合 法加以改進,除仍可維持電流侷限之目地外,同時可減少串聯電阻,增加未來積 體元件之工作速度。此外,由於結構之簡化,製程步驟也可減少,更可增加生長 之成功率。在本文中,除了用理論來說明此種直接耦合型橫向發光二極體之設計 考量外並仔細論及製作過程,最後以其發光特性來說明此種設計之可行性。 |
英文摘要 | A modification on the conventional Transverse Junction Stripe (TJS) light emitting iJiode(LED) has been made. which can reduce the series resistance and confine tile transverse cnrreiU.This modified "Direct Connecting" TJS sliLicture might be a pathway to iiioiiolithically integrate ahigh speed light emitting device with a Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) inturther applications. In this study, we have detailed the fahricalioii processes of a high output power (over 3 mW/facet) DC-TJSLED which was grown on a Senii.Insulating (SI) (100) orientated GaAs substrate byLiquid Phase Lpitaxy (LPE) growth technology, its performance is also presented. |
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