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題 名 | Layout Dependence of ESD Characteristics on High Voltage LDMOS Transistors |
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作 者 | Chen, Shuang-yuan; Wang, Mu-chun; Ho, Shao-min; Lin, Wei-yi; Jou, Yeh-ning; Haung, Heng-sheng; | 書刊名 | 淡江理工學刊 |
卷 期 | 11:4 2008.12[民97.12] |
頁 次 | 頁387-394 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | Electrostatic discharge; ESD; Transmission line pulsing; TLP; Laterally diffused MOS; LDMOS; |
語 文 | 英文(English) |