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題 名 | 電鍍製程因素對突波吸收器鍍膜的影響 |
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作 者 | 李玉萍; 鄭錫勳; 何宗漢; | 書刊名 | 工程科技與教育學刊 |
卷 期 | 5:4 2008.12[民97.12] |
頁 次 | 頁629-640 |
分類號 | 472.16 |
關鍵詞 | 突波吸收器; 滾桶電鍍; 氨基磺酸鎳; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文研究突波吸收器的電鍍製程,利用已知的鍍液,在陶瓷體的兩端以銅電極為基底,研究由不同的電鍍條件,鍍上鎳再鍍上錫使其晶格沉積,而得到最佳的鎳厚及錫厚。利用統計應用軟體分析不同電鍍條件及厚度分佈狀況,再藉由SEM觀測結晶狀況,而由可焊性測試得知其焊性後表面狀況。實驗結果,有交換鍍液,使用 Ti陰極軸,滾桶內無鰭片,1:8/3的鍍件與鐵球體積比,其平均鍍層厚度是較高。由SEM 發現有交換鍍液其內部金屬離子濃度較高,核種的數量較多,使用Ti陰極軸結晶顆粒均勻性較佳及沉積顆粒較小。錫厚2.09μm以下端電極會有孔洞,厚度越薄,焊性不良的狀況越嚴重。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。