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題 名 | 離散摻雜擾動效應在次22奈米電晶體特性之研究=Random-Dopant-Induced Device Variability in Sub-22 nm Nano Field-Effect-Transistors |
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作 者 | 黃至鴻; 李義明; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 16:1 2009.03[民98.03] |
頁 次 | 頁8-17 |
專 輯 | 奈米電子 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 奈米電晶體; 隨機摻雜; 多閘極電晶體; 特性擾動; 三維模型與模擬; Nanoscale transistor; Random dopants; Multiple-gate transistor; Characteristic fluctuation; Three dimensional modeling and simulation; |
語 文 | 中文(Chinese) |