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題名 | 以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討=Nano Devices Simulation on Si-FUSI Gate Stack |
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作者 | 陳人豪; 陳昱全; 陳書群; 劉立康; 鄭百勝; 林佩洵; 譚湘瑜; Chen, R. H.; Chen, Y. Q.; Chen, S. Q.; Liu, L. K.; Cheng, P. S.; Lin, P. S.; Tan, S. Y.; |
期刊 | 華岡工程學報 |
出版日期 | 20080600 |
卷期 | 22 2008.06[民97.06] |
頁次 | 頁227-230 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 矽化鎳; 閘極介電層; ISE-TCAD; Ni-FUSI; Gate dielectric; |