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題 名 | 高頻正弦電壓供應下非方向性電磁矽鋼片鐵損量測與評估分析 |
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作 者 | 蔡文昌; | 書刊名 | 高苑學報 |
卷 期 | 14 2008.07[民97.07] |
頁 次 | 頁1-10 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 高頻正弦供應電壓; 有限元素模型; 非方向性電磁矽鋼片; Epstein測試平臺; 鐵損量測與評估; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 現今鋼廠對於非方向性電磁矽銅片之電磁特性量測只能測得磁通密度、磁場強度及鐵損等電磁參數的有效值大小,對於其在電磁矽鋼片各位置大小分佈情況無法得知,且電磁矽鋼片之工作操作點及不同位置之電磁參數分佈情況,對於電機設計應用有著相當重要的影響。本論文是使用Epstein測試平台及64片每片厚度7.75mm之非方向性電磁矽銅片來做鐵損量測,研究高頻正弦電壓供電時,非方向性電磁矽銅片之鐵損量測及分析方法;一2D之有限元素模型是被使用研究高頻正弦電壓供應下,計算非方向性電磁矽銅片鐵損,其計算值將與量測值的結果比較,驗證電腦計算值之精確性。本論文亦模擬非方向性電磁矽銅片磁通密度、磁力線、磁場強度及鐵損等電磁特性分佈情況,離散傅立葉轉換也被使用來分析鐵損的諧波成分,結果發現電磁矽銅片鐵損大小受到電磁矽銅片之磁通密度變化量、電壓頻率等相當程度的影響。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。