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題 名 | 高效率多孔隙氮化銦鎵發光元件研製=High-Efficiency InGaN-based Light-Emitting Diodes with Nanoporous GaN:Mg Structure |
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作 者 | 黃立陽; 張政謙; 謝秉承; 楊仲傑; 林佳鋒; | 書刊名 | 材料科學與工程 |
卷 期 | 38:4 民95.12 |
頁 次 | 頁223-227 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氮化鎵; 光致電化學氧化; 多孔隙結構; 壓電場效應; Nanoporous GaN:Mg; InGaN-based light-emitting diodes; Photoelectrochemical; PEC; |
語 文 | 中文(Chinese) |