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題名 | 互補式金氧半導體製程上合併三井結構、深溝槽結構、及次集極結構對閂鎖效應的影響= |
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作者 | 吳偉琳; Voldman, Steven H.; G.Gebreselasie, Ephrem; |
期刊 | 電子月刊 |
出版日期 | 20070600 |
卷期 | 13:6=143 2007.06[民96.06] |
頁次 | 頁223-228 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 互補式金氧半導體製程上之閂鎖效應; 三井結構; 整合的三井結構; 深溝槽結構; 次集極結構; CMOS latch-up; Triple well; Merged triple well; Deep trench; Sub-collector; |