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題 名 | Effect of V[8fa7] Adjustment and Field Implantation on the Programming Efficiency in Split-Gate Source-Side Injected Flash Memory Cell=臨界電壓調整與場離子佈植對分離式閘極源極側注入式快閃記憶體規劃效率的影響 |
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作 者 | 周靜娟; 吳明瑞; 顏培仁; 陳啟文; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 27 民90.12 |
頁 次 | 頁41-46 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 規劃效率; 快閃記憶體; Programming efficiency; Flash memory; |
語 文 | 英文(English) |