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來源資料
真空科技
17:4 2004.12[民93.12]
頁60-65
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題名
使用溫度變化成長氮化物多重量子井綠光發光二極體=Nitride-based Green Light Emitting Diodes Grown by Temperature Ramping
作者姓名(中文)
溫子稷
;
書刊名
真空科技
卷期
17:4 2004.12[民93.12]
頁次
頁60-65
分類號
448.552
關鍵詞
InGaN/GaN多重量子井
;
發光二極體
;
光激發光譜
;
可靠度
;
語文
中文(Chinese)
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