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| 題 名 | 矽深蝕刻中RIE LAG效應之消除=Eliminating of RIE LAG Effect in Deep Silicon Etching |
|---|---|
| 作 者 | 陳秀香; | 書刊名 | 光學工程 |
| 卷 期 | 87 2004.09[民93.09] |
| 頁 次 | 頁55-60 |
| 分類號 | 448.57 |
| 關鍵詞 | 活性離子蝕刻延遲; 與深寬比有關的蝕刻率; 保護層; RIE lag; ARDE; Passivator; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本論文使用SF6-O2-CHF3電漿氣體研究深矽溝槽的活性離子蝕刻延遲效應。調整O2和CHF3在 SF6-O2-CHF3氣體中的濃度,可得到垂直的蝕刻圖形而且沒有活性離子蝕刻延遲效應(蝕刻深度與線寬大小無關)。實驗結果得到在5μm到40μm線寬的溝槽可得到相同的蝕刻深度,最佳化條件如下:ICP功率150watt、氣體壓力100mtorr、27%O2 in SF6-O2混合、33%CHF3 in SF6-O2-CHF3混合。目前實驗的結果已可得到20μm的垂直矽溝構結構,而且與線寬大小無關(線寬由5μm到40μm)。 |
| 英文摘要 | In this paper we study the RIE lag effect in deep silicon dry etching by employing a combination of fluorine-based RIE plasma (SF6/O2/CHF3). By adjusting the O2 and CHF3 concentration in SF6-O2-CHF3, we can obtain vertical and RIE lag free (the etching depth is independent of the line-width) structures presented results show zero depth variation between 5μm and 40μm width with good uniformity. The optimum conditions are as follow: ICP power is 150watt、gas pressure is 100mtorr、27%O2 in SF6-O2 mixtures、33%CHF3 in SF6-O2-CHF3 mixtures. We can obtain 20μm vertical silicon etching depth independent of the line-width (with the line-width from 5μm to 40μm). |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。